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008 点沙成硅（第3页）

所谓晶种，就是和目标晶体相同晶向的小晶体，是生长单晶的“种子”

。

用不同晶向的种子会得到不同晶向的单晶。

所谓种什么，得什么。

第三步，将晶种缓慢地垂直拉伸，晶体会在晶种下端生长，并随着晶种的提拉逐渐长长，形成一根“晶棒”

。

现在晶圆尺寸越做越大，从过去的2寸、4寸到8寸，为了提高良率和品质，现在又在CZ法中的核心设备CZ单晶炉中配备了磁场产生装置，用来进行温度控制。

这种加了磁场的工艺称为MCZ法，是当下的主流技术。

当然，现在的单晶硅制备技术除了直拉法还有FZ悬浮区熔法。

直拉法的优点是出品的硅含氧量较高、机械强度更大，在制作电子元件过程中不易形变，且更容易做出大尺寸的硅棒。

而且直拉法成本更低，晶体的生长速度较快。

目前大概有85%的单晶硅片由CZ直拉法制成。

但是FZ悬浮区熔法也有它的优势，这种方式做出来的单晶硅电阻率非常高，特别适合用来制作电力电子器件。

比如整流器、探测器件、IGBT等高功率器件。

另外FZ悬浮区熔法不会用到坩埚，避免了坩埚造成的污染，使得单晶硅的纯度更高，能更好满足制作功率器件的要求。

用FZ悬浮区熔法拉出来的单晶硅尺寸主要为6寸。

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江维补充道：【4英寸硅片产生于1986年，6英寸产生于1992年，8英寸产生于1997，12英寸产生于2005年。

】

戈登·蒂尔：【英特尔和IBM2002年建成了12英寸硅片产线，2005年就推出产品了，还是挺快的。

可惜我看不到了……】

江维：【12英寸的硅片在2005年的时候市场占比在20%左右，在2017年已经接近67%，市场还在持续扩大。

下一个技术节点是18英寸，以英特尔和台积电等厂商为主导，相关研发专案据说已经取得了一些进展，但因为不具备生厂效益而有所搁置。

所以，12英寸硅片还没有受到产品迭代所带来的影响，未来较长一段时间内应该会继续保持市场地位。

另外FZ悬浮区熔法拉出来的单晶硅尺寸现在已经可以做到8寸了，不过再往上就很困难了。

】

观众最爱螺蛳粉：“等等，刚刚不还在说硅棒么，那个多少寸多少寸的，是怎么出来的？”

江维把弹幕复制了一遍发到群里，既然科普就科普个明白呗。

戈登·蒂尔：【微笑.gif，晶棒做出来以后，用钻石刀将单晶硅晶棒横向切割成圆片，再经过抛光后就可以得到硅晶圆。

晶棒的直径决定了晶圆的直径，这里讲的多少英寸都是指的直径。

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