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】
布拉顿:【对!
的确如此。
当时蒂尔提出一个大胆的设想,认为先制造出一个大的“锗单晶”
才有可能进行P结或者N结的掺杂
但那个时间,我们都没有意识到这一点,对他的提议几乎没人重视。
主要是,我们还是一帮搞科研的,当时并没有去想这个PN结晶体管如果要大规模生产,怎样的工艺和步骤才是更合理的。
我们当时就琢磨着做几个能验证理论的“样品”
,所以在考虑其他方式。
正是因为有了蒂尔的研究,我们贝尔实验室才在1951年生产出第一批商业化PN结晶体管M1752。
如果没有蒂尔,我们的东西大概也只能在实验室中吃灰。
】
观众雾里看花:“所以,这是逢人白眼然后一招打脸的故事!”
戈登·蒂尔:【呃,当初大家不认可我的想法确实有些压力。
所以这里要特别感谢一下我的两个小伙伴,实验室的机械工程师约翰·利特尔和技术员厄内斯特.布勒,是他们两人支持我一起设计和制造了一台能够满足晶体生长的设备。
】
观众暗中观察:“还自己做设备!
我的天,这不就是想吃西红柿炒鸡蛋还得种西红柿嘛!”
戈登·蒂尔:【既然现在硅是芯片的主流材料,我就跟大家详细讲一下硅晶圆的制作好了。
当初做“锗晶”
的过程就后面几句话简单说一下。
】
观众大松饼:“对对对,我就想知道,拔丝的硅怎么就变成芯片的。”
戈登·蒂尔:【硅在沙子中主要以二氧化硅的形式存在,所以,先要将沙子与焦炭、煤或者木屑等混合,在石墨电弧炉中高温加热,将二氧化硅还原成硅。
这样大概能获得纯度在98%左右的多晶硅,然后再经过一些列化学过程,比如三氯氢硅法进行逐步提纯,最终得到纯度在9个9以上的电子级多晶硅。
但用于芯片制作的硅必须是单晶硅,这两者区别在于,单晶硅的硅原子排列方向是有序的,而多晶硅不是。
从多晶硅到单晶硅,这个时候就要用到CZ直拉法了,所谓“拉晶”
。
拉单晶工艺是硅片制作最核心的工艺步骤,它决定了硅片的质量和纯度。
刚才说了,这里用来拉晶的多晶硅材料是9个9以上的纯度,而最终的半导体硅片纯度必须达到11个9以上,即99.999999999%。
第一步,把多晶硅材料放在坩埚内加热熔化。
第二步,把“晶种”
放进去。
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