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015 平面技术摩尔定律的原点（第2页）

诺伊斯：【哟，二氧化硅薄膜制备的发明人来了。

既然您来了，那就由您介绍这项为半导体平面工艺奠基的重要技术吧。

】

卡尔·弗洛士：【好的呀！

1955年，我正在搞研究，钻研如何解决硅表面在高温杂质扩散时裂开的问题。

然后，一不小心将氢气加入了扩散中，扩散炉中一下子就产生了水蒸气，迅速在硅晶体表面产生了一层二氧化硅。

结果，你猜怎么着。

没想到啊没想到，这层二氧化硅竟然是一层很好的杂质扩散阻挡层！

】

观众大喇叭牛哄哄：“又是不小心！

切克老司机不小心发现了直拉法，这哥们又不小心发现二氧化硅的阻挡层作用。

这就是机缘砸在脸上吧！

我的天，请不用疼惜我，也给我来个不小心吧。”

观众太空漫步者：“哪有那么容易，虽然是他们都是不小心造成了某种现象，但后续会对这种现象展开进一步的研究，才会诞生最终的学术成果。

你不小心，真的就只是不小心脸被砸扁了而已。”

卡尔·弗洛士：【后来，我和我的技术研究员林肯·德里克立刻进行进一步研究。

用氢氟酸在二氧化硅上腐蚀出一些小区域露出部分硅，从这些“开口”

进行杂质扩散。

采用这种方法，能将杂质扩散到硅晶片上的指定区域。

由此，为在同一种材质上制作出各种电路打下了基础。

】

张汝京：【对，二氧化硅很快就成为晶体管生产和平面处理技术中重要的物质。

它不但可以用作半导体PN结之间的绝缘物质，同时还能保护硅晶体不受金属污染。

在后来的芯片工艺中，二氧化硅被广泛应用在封装和绝缘工艺中。

】

诺伊斯：【卡尔·弗洛士他们的这种全新扩散技术，使得杂质只能从“开口”

处扩散到硅晶片上。

而覆盖二氧化硅氧化膜的地方被保护了起来。

这种技术，让光刻技术呼之欲出。

同年，贝尔实验室的朱尔斯·安德鲁斯和沃尔特·邦德将制造印刷电路的光刻技术用于硅片加工。

他们在二氧化硅的氧化膜上均匀的涂抹一层“光致抗蚀剂”

，也就是我们现在所说的光刻胶。

然后通过光学曝光，将电路图“复印”